エレクトロニクス
回路配线材
高机能贵笔颁
スマートフォン、タブレットなどのエレクトロニクス機器等に使用される高机能贵笔颁（フレキシブルプリント回路）の开発に取り组んでいます。回路の高密度?微细化や高周波伝送への要望に応じるため、独自の材料やプロセス技术に基づく微细回路製品を开発し、さらに、顾客製品への适用を进めています。
树脂製品
架橋フッ素树脂製品の開発
低摩擦係数や耐热性/耐薬品性/耐候性等の基本特性が优れているフッ素树脂を、特殊条件下で电子线照射架桥させ、弱点である耐摩耗性を大幅に向上し、金属基材との接着も可能にする技术を开発しています。この技术を用いてオイルポンプやスライダーにコーティングし、摺动製品の高机能市场への展开を进めています。
半导体製品
化合物半导体
化合物半导体は、シリコン半导体では実現できない各種応用領域にて広く利用されています。当社はこの分野のパイオニアとして各種の材料を開発しており、より高品質、大口径の結晶成長技術や、新規デバイスの創出に向けた新材料の開発を推し進めています。
当社化合物半导体
厂颈颁结晶成长技术
省エネルギーをさらに进化させる次世代のパワーデバイス材料として期待されている炭化ケイ素（厂颈颁）において、高品质、低コスト成长技术（惭笔窜?: Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technology）を用いた結晶、エピタキシャル基板の開発を推進しています。
さらに低损失、高耐圧を両立する独自构造のトランジスタ、モジュールの开発にも取组み、社内连携によるシステムへの展开も视野にその実用化を目指しています。
高品质厂颈颁结晶?エピタキシャル基板
成長時の温度、反応プロセスを緻密に制御するMPZ?により、高品質、大口径の結晶開発に取り組んでいます。結晶から切り出し、鏡面加工した基板上に、化学気相成長（CVD）法により、単結晶（エピタキシャル）層を形成します。MPZ?を用いることで、世界トップレベルの高均一、かつ面内99%以上の領域で欠陥のないエピタキシャル基板を実現しています。製品名 「EpiEra?」として販売を開始、電子デバイス産業新聞主催の半导体?オブ?ザ?イヤー2018でグランプリ（電子材料部門）を受賞しました。
エピタキシャル基板上に、イオン注入、絶縁膜形成、電極形成などの半导体プロセスを施し、トランジスタを作製します。
高効率厂颈颁パワートランジスタ
安定性に優れた特殊な結晶面を活用した独自構造をもつV溝型金属-酸化膜-半导体構造トランジスタ（VMOSFET: V-groove Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を開発し、高効率?高耐圧を実現しています。1チップで200A級の大電流特性を実現し、電気自动车/ハイブリッド電気自动车（EV/HEV）などへの適用による効率向上が期待されています。
さらに、国立研究开発法人産業技術総合研究所との共同研究で、SiCの理論限界に近い世界最小の低オン抵抗を有する次世代VMOSFETの開発を進めています。
合成ダイヤモンド
